maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4150TAP
Référence fabricant | 1N4150TAP |
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Numéro de pièce future | FT-1N4150TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4150TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4150TAP-FT |
BYM07-50HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel