maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N4448TAP
Référence fabricant | 1N4448TAP |
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Numéro de pièce future | FT-1N4448TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N4448TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 5mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 8ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N4448TAP-FT |
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34B-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34CHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34DHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel