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Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8MTHE3_A/P

Name: NSB8MTHE3_A/P
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: NSB8MTHE3_A/P
Price: 0.58128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (17 reviews)

Numéro de pièce MFG: NSB8MTHE3_A/P

quantité disponible: 66920 Pièces

Prix de référence: USD 0.58128

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division

Brève description: Automotive, AEC-Q101 DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NSB8MTHE3_A/P.pdf

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NSB8MTHE3_A/P Caractéristiques

Référence fabricant	NSB8MTHE3_A/P
Numéro de pièce future	FT-NSB8MTHE3_A/P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101
NSB8MTHE3_A/P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 8A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F	55pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSB8MTHE3_A/P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NSB8MTHE3_A/P-FT

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