maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NSB8GTHE3_A/I
Référence fabricant | NSB8GTHE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-NSB8GTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NSB8GTHE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSB8GTHE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSB8GTHE3_A/I-FT |
SD103C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAY80-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4150TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4154TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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