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Référence fabricant | SD103C-TR |
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Numéro de pièce future | FT-SD103C-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SD103C-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 10V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SD103C-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SD103C-TR-FT |
BYM07-400HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-400HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50HE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-50HE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel