maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / US1GHE3/5AT
Référence fabricant | US1GHE3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-US1GHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
US1GHE3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1GHE3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | US1GHE3/5AT-FT |
SS12-E3/1T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS13HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel