maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS12-E3/1T
Référence fabricant | SS12-E3/1T |
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Numéro de pièce future | FT-SS12-E3/1T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS12-E3/1T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12-E3/1T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS12-E3/1T-FT |
VSSA3L6S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA3L6S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-M3/5BT
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SSB44-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel