Référence fabricant | SS1H9 |
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Numéro de pièce future | FT-SS1H9 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS1H9 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H9 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS1H9-FT |
SS24SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25S-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSA23L-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel