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Référence fabricant | SS25S-E3/61T |
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Numéro de pièce future | FT-SS25S-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS25S-E3/61T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS25S-E3/61T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS25S-E3/61T-FT |
RS1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1J-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1JHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1K-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel