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Référence fabricant | RS1J-M3/5AT |
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Numéro de pièce future | FT-RS1J-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1J-M3/5AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1J-M3/5AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1J-M3/5AT-FT |
B120-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B120-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B130-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B130-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B140-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B150-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
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EP3SE80F1152C3
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Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
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EP4SGX230FF35C4N
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