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Référence fabricant | SS12HE3_A/I |
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Numéro de pièce future | FT-SS12HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS12HE3_A/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12HE3_A/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS12HE3_A/I-FT |
SSB43L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel