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Référence fabricant | SS13HE3_A/H |
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Numéro de pièce future | FT-SS13HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS13HE3_A/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS13HE3_A/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS13HE3_A/H-FT |
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ100NTR
Vishay Semiconductor Diodes Division
15MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG20J/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22DHE3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25HE3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS10-25HE3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
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XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
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M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
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EP3SE110F780I3N
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