maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TPH6R003NL,LQ
Référence fabricant | TPH6R003NL,LQ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TPH6R003NL,LQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSVIII-H |
TPH6R003NL,LQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 38A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta), 34W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP Advance (5x5) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPH6R003NL,LQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TPH6R003NL,LQ-FT |
2SK2963(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8P60W5,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK290P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK380P65Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK560P60Y,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK10P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK11P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK12P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel