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Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5,RVQ

Name: TK8P60W5,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK8P60W5,RVQ
Price: 0.5208 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (93 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK8P60W5,RVQ

quantité disponible: 91540 Pièces

Prix de référence: USD 0.5208

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK8P60W5,RVQ.pdf

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TK8P60W5,RVQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK8P60W5,RVQ
Numéro de pièce future	FT-TK8P60W5,RVQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK8P60W5,RVQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 400µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8P60W5,RVQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK8P60W5,RVQ-FT

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