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Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W5,RVQ

Numéro de pièce MFG
TK8P60W5,RVQ
quantité disponible
91540 Pièces
Prix de référence
USD 0.5208
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
DTMOSIV MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK8P60W5,RVQ.pdf
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TK8P60W5,RVQ Caractéristiques

Référence fabricant TK8P60W5,RVQ
Numéro de pièce future FT-TK8P60W5,RVQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DTMOSIV
TK8P60W5,RVQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 400µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 300V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK8P60W5,RVQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK8P60W5,RVQ-FT

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