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Toshiba Semiconductor and Storage TK11P65W,RQ

Name: TK11P65W,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK11P65W,RQ
Price: 0.65856 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (707 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK11P65W,RQ

quantité disponible: 97330 Pièces

Prix de référence: USD 0.65856

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK11P65W,RQ.pdf

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TK11P65W,RQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK11P65W,RQ
Numéro de pièce future	FT-TK11P65W,RQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK11P65W,RQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 450µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK11P65W,RQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK11P65W,RQ-FT

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