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Référence fabricant | TK31N60X,S1F |
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Numéro de pièce future | FT-TK31N60X,S1F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DTMOSIV-H |
TK31N60X,S1F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK31N60X,S1F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK31N60X,S1F-FT |
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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