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Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y,RQ

Name: TK380P65Y,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK380P65Y,RQ
Price: 0.448 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (234 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK380P65Y,RQ

quantité disponible: 70060 Pièces

Prix de référence: USD 0.448

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSV MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK380P65Y,RQ.pdf

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TK380P65Y,RQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK380P65Y,RQ
Numéro de pièce future	FT-TK380P65Y,RQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSV
TK380P65Y,RQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 360µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	590pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK380P65Y,RQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK380P65Y,RQ-FT

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