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Référence fabricant | TN2501N8-G |
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Numéro de pièce future | FT-TN2501N8-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TN2501N8-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 18V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 400mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 3V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 200mA, 3V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-243AA (SOT-89) |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN2501N8-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TN2501N8-G-FT |
PSMN2R0-30YLE,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R2-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R2-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-40YSDX
Nexperia USA Inc.
PSMN3R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN3R7-30YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN4R0-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R1-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel