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NXP USA Inc. PSMN3R7-30YLC,115

Name: PSMN3R7-30YLC,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PSMN3R7-30YLC,115
Availability: InStock
Rating: 5.0 (206 reviews)

Numéro de pièce MFG: PSMN3R7-30YLC,115

quantité disponible: 10100 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PSMN3R7-30YLC,115.pdf

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PSMN3R7-30YLC,115 Caractéristiques

Référence fabricant	PSMN3R7-30YLC,115
Numéro de pièce future	FT-PSMN3R7-30YLC,115
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PSMN3R7-30YLC,115 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.95 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1848pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	79W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse	SC-100, SOT-669
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN3R7-30YLC,115 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PSMN3R7-30YLC,115-FT

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