maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9Y43-60E,115
Référence fabricant | BUK9Y43-60E,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9Y43-60E,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y43-60E,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 45W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y43-60E,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9Y43-60E,115-FT |
BUK9Y14-40B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-30YL,115
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PSMN3R5-30YL,115
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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y59-60EX
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BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX45-3FG676C
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Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
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A42MX16-PQ208M
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LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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LFEC1E-4Q208C
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Intel