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Référence fabricant | PSMN5R8-40YS,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN5R8-40YS,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN5R8-40YS,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1703pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN5R8-40YS,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN5R8-40YS,115-FT |
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
FDZ371PZ
ON Semiconductor
FDZ375P
ON Semiconductor
FDZ663P
ON Semiconductor
PMZB290UNE2YL
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PMZB150UNEYL
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PMZB200UNEYL
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PMZB290UN,315
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