maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMZB290UN,315
Référence fabricant | PMZB290UN,315 |
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Numéro de pièce future | FT-PMZB290UN,315 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMZB290UN,315 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1006B-3 |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB290UN,315 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMZB290UN,315-FT |
PHK4NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHK4NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHK5NQ15T,518
Nexperia USA Inc.
PMK30EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK35EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK50XP,518
Nexperia USA Inc.
PSMN005-30K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN085-150K,518
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel