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Référence fabricant | PSMN4R0-25YLC,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN4R0-25YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN4R0-25YLC,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 84A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 61W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R0-25YLC,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN4R0-25YLC,115-FT |
BUK9Y38-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R0-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R4-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R8-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y58-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation