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Référence fabricant | PSMN3R5-25MLDX |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN3R5-25MLDX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN3R5-25MLDX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1334pF @ 12V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipation de puissance (max) | 65W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R5-25MLDX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN3R5-25MLDX-FT |
BUK9Y27-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y29-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y38-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R0-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R4-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R8-60E,115
Nexperia USA Inc.
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel