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STMicroelectronics STT6N3LLH6

Name: STT6N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STT6N3LLH6
Price: 0.37368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (618 reviews)

Numéro de pièce MFG: STT6N3LLH6

quantité disponible: 89740 Pièces

Prix de référence: USD 0.37368

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: DeepGATE™, STripFET™ VI MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STT6N3LLH6.pdf

STT6N3LLH6 Caractéristiques

Référence fabricant	STT6N3LLH6
Numéro de pièce future	FT-STT6N3LLH6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DeepGATE™, STripFET™ VI
STT6N3LLH6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	283pF @ 24V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.6W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-23-6
Paquet / caisse	SOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STT6N3LLH6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STT6N3LLH6-FT

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