maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDG311N
Référence fabricant | FDG311N |
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Numéro de pièce future | FT-FDG311N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDG311N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG311N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG311N-FT |
SPA07N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60C3IN
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SPA11N60C3XKSA1
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SPA11N60CFDXKSA1
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SPA11N65C3XKSA1
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SPA11N80C3XKSA1
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SPA12N50C3XKSA1
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SPA15N60CFDXKSA1
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel