maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPA12N50C3XKSA1
Référence fabricant | SPA12N50C3XKSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPA12N50C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPA12N50C3XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 560V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 33W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA12N50C3XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPA12N50C3XKSA1-FT |
IRFI9530N
Infineon Technologies
IRFI9540G
Vishay Siliconix
IRFI9610G
Vishay Siliconix
IRFI9620G
Vishay Siliconix
IRFI9630G
Vishay Siliconix
IRFI9634G
Vishay Siliconix
IRFI9640G
Vishay Siliconix
IRFI9Z14G
Vishay Siliconix
IRFI9Z24G
Vishay Siliconix
IRFI9Z24N
Infineon Technologies