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Vishay Siliconix IRFI9610G

Numéro de pièce MFG
IRFI9610G
quantité disponible
90260 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFI9610G Caractéristiques

Référence fabricant IRFI9610G
Numéro de pièce future FT-IRFI9610G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFI9610G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 27W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFI9610G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFI9610G-FT

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