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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662(F)

Name: 2SK3662(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3662(F)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (81 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2SK3662(F)

quantité disponible: 61070 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSIII MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2SK3662(F).pdf

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2SK3662(F) Caractéristiques

Référence fabricant	2SK3662(F)
Numéro de pièce future	FT-2SK3662(F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSIII
2SK3662(F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	35A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5120pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220NIS
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3662(F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2SK3662(F)-FT

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