maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / RCX051N25
Référence fabricant | RCX051N25 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RCX051N25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RCX051N25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.36 Ohm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.23W (Ta), 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FM |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCX051N25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RCX051N25-FT |
IRFI840GPBF
Vishay Siliconix
IRFIBF20GPBF
Vishay Siliconix
IRFIZ24GPBF
Vishay Siliconix
IRFI9Z14GPBF
Vishay Siliconix
R8008ANX
Rohm Semiconductor
IRFI510GPBF
Vishay Siliconix
TK1K2A60F,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI9Z34GPBF
Vishay Siliconix
R6020ANX
Rohm Semiconductor
IRFI634GPBF
Vishay Siliconix