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2SK2507(F) Image

Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2507(F)

Numéro de pièce MFG
2SK2507(F)
quantité disponible
52410 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
- MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SK2507(F) Caractéristiques

Référence fabricant 2SK2507(F)
Numéro de pièce future FT-2SK2507(F)
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SK2507(F) Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220NIS
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK2507(F) Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SK2507(F)-FT

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