maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPA11N60C3IN
Référence fabricant | SPA11N60C3IN |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPA11N60C3IN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPA11N60C3IN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 33W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPA11N60C3IN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPA11N60C3IN-FT |
IRFI840G
Vishay Siliconix
IRFI840GLC
Vishay Siliconix
IRFI9520G
Vishay Siliconix
IRFI9520N
Vishay Siliconix
IRFI9530G
Vishay Siliconix
IRFI9530N
Infineon Technologies
IRFI9540G
Vishay Siliconix
IRFI9610G
Vishay Siliconix
IRFI9620G
Vishay Siliconix
IRFI9630G
Vishay Siliconix
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel