maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDG316P
Référence fabricant | FDG316P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FDG316P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDG316P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG316P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG316P-FT |
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA11N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA15N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA16N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel