maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDG316P
Référence fabricant | FDG316P |
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Numéro de pièce future | FT-FDG316P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDG316P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88 (SC-70-6) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG316P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDG316P-FT |
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
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SPA11N60CFDXKSA1
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SPA11N80C3XKSA1
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SPA15N60CFDXKSA1
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SPA15N65C3XKSA1
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SPA16N50C3XKSA1
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SPA17N80C3XKSA1
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XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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5SGXEBBR1H43C2LN
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5CGXFC9C6F23I7N
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EPF8820AQC208-4AA
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