maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI3139KL-TP
Référence fabricant | SI3139KL-TP |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI3139KL-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SI3139KL-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 680mA |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-883 |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3139KL-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3139KL-TP-FT |
RJK5026DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
RJL5012DPP-M0#T2
Renesas Electronics America
SPA03N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA07N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.