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STMicroelectronics STT4P3LLH6
- Numéro de pièce MFG
- STT4P3LLH6
- quantité disponible
- 20940 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.18192
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- STMicroelectronics
- Brève description
- DeepGATE™, STripFET™ H6 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- STT4P3LLH6.pdf
STT4P3LLH6 Caractéristiques
| Référence fabricant | STT4P3LLH6 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-STT4P3LLH6 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
| STT4P3LLH6 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 639pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-6 |
| Paquet / caisse | SOT-23-6 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| STT4P3LLH6 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | STT4P3LLH6-FT |
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