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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N815R,LF

Name: SSM6N815R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N815R,LF
Price: 0.12028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (187 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM6N815R,LF

quantité disponible: 36440 Pièces

Prix de référence: USD 0.12028

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVIII-H MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM6N815R,LF.pdf

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SSM6N815R,LF Caractéristiques

Référence fabricant	SSM6N815R,LF
Numéro de pièce future	FT-SSM6N815R,LF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVIII-H
SSM6N815R,LF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 4V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 15V
Puissance - Max	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur	6-TSOP-F
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM6N815R,LF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM6N815R,LF-FT

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