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Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SI7212DN-T1-GE3
quantité disponible
32690 Pièces
Prix de référence
USD 0.488328
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI7212DN-T1-GE3.pdf
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SI7212DN-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SI7212DN-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SI7212DN-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SI7212DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® 1212-8 Dual
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7212DN-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI7212DN-T1-GE3-FT

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