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Référence fabricant | SI7218DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7218DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7218DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 15V |
Puissance - Max | 23W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7218DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7218DN-T1-GE3-FT |
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XC6SLX9-L1TQG144I
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LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
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EP3SL340F1517C3N
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5CEBA4U19C7N
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EP20K1000EBC652-1
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