maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI5902BDC-T1-E3
Référence fabricant | SI5902BDC-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5902BDC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5902BDC-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Puissance - Max | 3.12W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5902BDC-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5902BDC-T1-E3-FT |
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Xilinx Inc.
LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
10AX022E4F27I3SG
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
Intel
EP4SGX290FF35I4
Intel