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Référence fabricant | SI7222DN-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7222DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7222DN-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 20V |
Puissance - Max | 17.8W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7222DN-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7222DN-T1-E3-FT |
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Microsemi Corporation
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Intel
XC5VFX70T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
10AX115N3F45E2SG
Intel
EP3SE50F780C4N
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