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Référence fabricant | SPW47N60CFDFKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPW47N60CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPW47N60CFDFKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.9mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 322nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 417W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW47N60CFDFKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPW47N60CFDFKSA1-FT |
IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies
IPDD60R190G7XTMA1
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IPT60R028G7XTMA1
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IPT60R050G7XTMA1
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IPT60R125G7XTMA1
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IPT60R150G7XTMA1
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IPT65R033G7XTMA1
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IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
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5SGXEA5K3F35C2L
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XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel