maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMCG16AHE3/57T
Référence fabricant | SMCG16AHE3/57T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMCG16AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCG16AHE3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16V |
Tension - Panne (Min) | 17.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 57.7A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AB (SMCG) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG16AHE3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCG16AHE3/57T-FT |
SM8S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33AHE3S/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36-2HE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36-7000HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S36A-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5
Intel
EP3SE50F484I4L
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100FC324-1X
Intel