maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S36A-7001HE4/2N
Référence fabricant | SM8S36A-7001HE4/2N |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S36A-7001HE4/2N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S36A-7001HE4/2N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 36V |
Tension - Panne (Min) | 40V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 58.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 114A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S36A-7001HE4/2N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S36A-7001HE4/2N-FT |
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S10HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S11-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel