maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8A27-E3/2D
Référence fabricant | SM8A27-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8A27-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM8A27-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 22V |
Tension - Panne (Min) | 24V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 40V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 75A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8A27-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8A27-E3/2D-FT |
SM5S26A-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S26HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
A42MX16-2PQG100
Microsemi Corporation
XA6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84M
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQI
Microchip Technology
EPF10K100ABC600-2
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
EP4CE22E22I8LN
Intel
5SGXEA4H1F35C2N
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel