maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S11-E3/2D
Référence fabricant | SM8S11-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S11-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM8S11-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 20.1V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 328A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S11-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S11-E3/2D-FT |
SM5S28AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S28HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
10CL080YF484I7G
Intel
EP3SL50F484I4LN
Intel
EP3CLS100U484C7N
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
XC7K70T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I4SGES
Intel