maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S33A-E3/2D
Référence fabricant | SM8S33A-E3/2D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SM8S33A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM8S33A-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 33V |
Tension - Panne (Min) | 36.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 124A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S33A-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S33A-E3/2D-FT |
SM6S30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S30HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F45I4N
Intel
5SGXMB6R1F43I2N
Intel
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C4
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel