maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM8S33AHE3/2E
Référence fabricant | SM8S33AHE3/2E |
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Numéro de pièce future | FT-SM8S33AHE3/2E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM8S33AHE3/2E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 33V |
Tension - Panne (Min) | 36.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 53.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 124A |
Puissance - Peak Pulse | 6600W (6.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM8S33AHE3/2E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM8S33AHE3/2E-FT |
SM6S33-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S33HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6S36HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
M7A3P1000-1PQ208I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
10AX032H4F34E3SG
Intel
XC4VLX160-11FF1148C
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XC2VP7-5FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-7BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
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Intel