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Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SIZF920DT-T1-GE3
- quantité disponible
- 60440 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.727056
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® Gen IV MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIZF920DT-T1-GE3.pdf
SIZF920DT-T1-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIZF920DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIZF920DT-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® Gen IV |
| SIZF920DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caractéristique FET | Standard |
| Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.07 mOhm @ 10A, 10V, 1.05 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
| Puissance - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-PowerPair® (6x5) |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIZF920DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIZF920DT-T1-GE3-FT |
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