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Référence fabricant | SI5915BDC-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5915BDC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5915BDC-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 4V |
Puissance - Max | 3.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5915BDC-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5915BDC-T1-GE3-FT |
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Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484C
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XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP4S100G5F45I1N
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
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Intel
EP2AGX65DF29I3
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