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Référence fabricant | SI7940DP-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7940DP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7940DP-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7940DP-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7940DP-T1-E3-FT |
ALD210800SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110800ASCL
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ALD110800SCL
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ALD110804SCL
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ALD110808ASCL
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ALD110808SCL
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ALD1108ESCL
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ALD114804ASCL
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ALD114804SCL
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ALD114813SCL
Advanced Linear Devices Inc.
A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
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A3PE1500-FGG676I
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
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EPF10K200SBC356-1
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10M02DCV36C7G
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